铟镓氮薄膜的快速填埋生长方法
韩培德; 刘祥林; 王晓晖; 陆大成
2002-07-31
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2000-12-25
语种中文
申请号CN00136136.8
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3067
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
韩培德,刘祥林,王晓晖,等. 铟镓氮薄膜的快速填埋生长方法[P]. 2002-07-31.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
00136136.pdf(434KB) 限制开放--请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[韩培德]的文章
[刘祥林]的文章
[王晓晖]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[韩培德]的文章
[刘祥林]的文章
[王晓晖]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[韩培德]的文章
[刘祥林]的文章
[王晓晖]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。