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题名: Improvement of Ohmic contact to p-GaN by controlling the residual carbon concentration in p++-GaN layer
作者: Feng Liang;  Degang Zhao;  Desheng Jiang;  Zongshun Liu;  Jianjun Zhu;  Ping Chen;  Jing Yang;  Wei Liu;  Xiang Li;  Shuangtao Liu;  Yao Xing;  Liqun Zhang;  Hui Yang;  Heng Long;  Mo Li
发表日期: 2017
刊名: Journal of Crystal Growth
专题: 光电子研究发展中心_期刊论文

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Improvement of Ohmic contact to p-GaN by controlling the residual carbon concentration in p++-GaN layer.pdf1042KbAdobe PDF 联系获取全文


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推荐引用方式:
Feng Liang ; Degang Zhao ; Desheng Jiang ; Zongshun Liu ; Jianjun Zhu ; Ping Chen ; Jing Yang ; Wei Liu ; Xiang Li ; Shuangtao Liu ; Yao Xing ; Liqun Zhang ; Hui Yang ; Heng Long ; Mo Li .Improvement of Ohmic contact to p-GaN by controlling the residual carbon concentration in p++-GaN layer.Journal of Crystal Growth,2017,467:1-5
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