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题名: Electroluminescence property improvement by adjusting quantum wells’ position relative to p-doped region in InGaN/GaN multiple-quantum-well light emitting diodes
作者: P. Chen;  D. G. Zhao;  D. S. Jiang;  H. Long;  M. Li;  J. Yang;  J. J. Zhu;  Z. S. Liu;  X. J. Li;  W. Liu;  X. Li;  F. Liang;  J. P. Liu;  B. S. Zhang;  H. Yang
发表日期: 2017
刊名: AIP Advances
专题: 光电子研究发展中心_期刊论文

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EL property improvement by adjusting QWs’ position relative to p-doped region in InGaN-GaN MQW LEDs.pdf5388KbAdobe PDF 联系获取全文


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P. Chen; D. G. Zhao; D. S. Jiang; H. Long; M. Li; J. Yang; J. J. Zhu; Z. S. Liu; X. J. Li; W. Liu; X. Li; F. Liang; J. P. Liu; B. S. Zhang; H. Yang.Electroluminescence property improvement by adjusting quantum wells’ position relative to p-doped region in InGaN/GaN multiple-quantum-well light emitting diodes.AIP Advances,2017,7:035103
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