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SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室  > 期刊论文

题名: A type-II GeSe/SnS heterobilayer with a suitable direct gap, superior optical absorption and broad spectrum for photovoltaic applications
作者: Congxin Xia;  Juan Du;  Wenqi Xiong;  Yu Jia;  Zhongming Wei;  Jingbo Li
发表日期: 2017
刊名: Journal of Materials Chemistry A
专题: 半导体超晶格国家重点实验室 _期刊论文

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A type-II GeSeSnS heterobilayer with suitable direct gap, superior optical absorption and broad spectrum for photovoltaic applications.pdf1663KbAdobe PDF 联系获取全文


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Congxin Xia; Juan Du; Wenqi Xiong; Yu Jia; Zhongming Wei ; Jingbo Li.A type-II GeSe/SnS heterobilayer with a suitable direct gap, superior optical absorption and broad spectrum for photovoltaic applications.Journal of Materials Chemistry A,2017,5:13400–13410
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