高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中科院半导体材料科学重点实验室  > 期刊论文

题名: Temperature dependence of photogalvanic effect in GaAs/AlGaAs two-dimensional electron gas at interband and intersubband excitation
作者: X. L. Zeng;  J. L. Yu;  S. Y. Cheng;  Y. F. Lai, Y. H. Chen;  W. Huang
发表日期: 2017
刊名: Journal of Applied Physics
专题: 中科院半导体材料科学重点实验室_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
Temperature dependence of photogalvanic effect in GaAsAlGaAs two-dimensional.pdf1345KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
X. L. Zeng; J. L. Yu; S. Y. Cheng; Y. F. Lai, Y. H. Chen; W. Huang.Temperature dependence of photogalvanic effect in GaAs/AlGaAs two-dimensional electron gas at interband and intersubband excitation.Journal of Applied Physics,2017,121:193901
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [X. L. Zeng]的文章
 [J. L. Yu]的文章
 [S. Y. Cheng]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [X. L. Zeng]的文章
 [J. L. Yu]的文章
 [S. Y. Cheng]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发