Epitaxial growth of BaTiO3/ZnO heterojunctions and transition from rectification to bipolar resistive switching effect

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SEMI OpenIR > 中科院半导体材料科学重点实验室 > 期刊论文

题名:	Epitaxial growth of BaTiO3/ZnO heterojunctions and transition from rectification to bipolar resistive switching effect
作者:	Caihong Jia; Xiaoqian Yin; Guang Yang; Yonghui Wu; Jiachen Li; Yonghai Chen; Weifeng Zhang
发表日期:	2017
刊名:	Appl. Phys. Lett.
专题:	中科院半导体材料科学重点实验室_期刊论文

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推荐引用方式：

Caihong Jia; Xiaoqian Yin; Guang Yang; Yonghui Wu; Jiachen Li; Yonghai Chen; Weifeng Zhang.Epitaxial growth of BaTiO3/ZnO heterojunctions and transition from rectification to bipolar resistive switching effect.Appl. Phys. Lett.,2017,111:113506

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