氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构
王晓亮; 李巍; 李百泉; 肖红领; 殷海波; 冯春; 姜丽娟; 邱爱芹; 王翠梅; 介芳
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-09-28
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2015-01-06
申请号CN201520005486.8
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27622
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
王晓亮,李巍,李百泉,等. 氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构.
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