低偏角碳化硅同质外延材料的制作方法
闫果果; 孙国胜; 张峰; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 曾一平
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-09-28
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2015-04-16
申请号CN201510180960.5
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27564
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
闫果果,孙国胜,张峰,等. 低偏角碳化硅同质外延材料的制作方法.
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