SEMI OpenIR  > 中科院半导体照明研发中心
一种具有低折射率材料的LED图形化衬底的制备方法
张勇辉; 魏同波; 王军喜; 李晋闽
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-09-22
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体器件
申请日期2014-10-27
申请号CN201410584703.3
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27529
专题中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
张勇辉,魏同波,王军喜,等. 一种具有低折射率材料的LED图形化衬底的制备方法.
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