SEMI OpenIR  > 光电子研究发展中心
具有亚波长光栅结构的面入射硅基锗光电探测器及其制备方法
刘智; 成步文; 何超; 李传波; 薛春来; 王启明
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-09-22
授权国家中国
专利类型发明
学科领域光电子学
申请日期2015-07-07
申请号CN201510394479.6
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27500
专题光电子研究发展中心
推荐引用方式
GB/T 7714
刘智,成步文,何超,等. 具有亚波长光栅结构的面入射硅基锗光电探测器及其制备方法.
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具有亚波长光栅结构的面入射硅基锗光电探测(790KB) 限制开放使用许可请求全文
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