SEMI OpenIR  > 光电子研究发展中心
制备低比接触电阻率的p-GaN欧姆接触的方法
李晓静; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 朱建军; 陈平
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-09-12
授权国家中国
专利类型发明
学科领域光电子学
申请日期2014-11-17
申请号CN201410652524.9
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27466
专题光电子研究发展中心
推荐引用方式
GB/T 7714
李晓静,赵德刚,江德生,等. 制备低比接触电阻率的p-GaN欧姆接触的方法.
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