硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法
杨涛; 杜文娜; 杨晓光; 王小耶; 季祥海; 王占国
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-09-12
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2014-12-17
申请号CN201410785433.2
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27449
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
杨涛,杜文娜,杨晓光,等. 硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法.
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