SEMI OpenIR  > 光电子研究发展中心
硅基集成化的差分电光调制器及其制备方法
丁建峰; 张磊; 杨林
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-09-12
授权国家中国
专利类型发明
学科领域光电子学
申请日期2015-09-10
申请号CN201510573807.9
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27435
专题光电子研究发展中心
推荐引用方式
GB/T 7714
丁建峰,张磊,杨林. 硅基集成化的差分电光调制器及其制备方法.
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硅基集成化的差分电光调制器及其制备方法.(495KB) 限制开放使用许可请求全文
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