基于MMI耦合器的InP基少模光子集成发射芯片
李召松; 陆丹; 潘教青; 赵玲娟; 梁松
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-09-12
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2015-12-03
申请号CN201510882626.4
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27411
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
李召松,陆丹,潘教青,等. 基于MMI耦合器的InP基少模光子集成发射芯片.
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基于MMI耦合器的InP基少模光子集成发(707KB) 限制开放使用许可请求全文
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