SEMI OpenIR  > 半导体集成技术工程研究中心
一种氮化镓异质结肖特基二极管及其制备方法
李迪; 贾利芳; 何志; 樊中朝; 杨富华
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-09-12
授权国家中国
专利类型发明
学科领域微电子学
申请日期2014-06-17
申请号CN201410270490.7
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27398
专题半导体集成技术工程研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
李迪,贾利芳,何志,等. 一种氮化镓异质结肖特基二极管及其制备方法.
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一种氮化镓异质结肖特基二极管及其制备方法(982KB) 限制开放使用许可请求全文
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