SEMI OpenIR  > 光电子研究发展中心
一种集中供湿的脑电帽及柔性微渗电极结构
裴为华; 邢潇; 郭旭宏; 陈弘达
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-09-12
授权国家中国
专利类型发明
学科领域光电子学
申请日期2015-12-30
申请号CN201511020694.6
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27374
专题光电子研究发展中心
推荐引用方式
GB/T 7714
裴为华,邢潇,郭旭宏,等. 一种集中供湿的脑电帽及柔性微渗电极结构.
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一种集中供湿的脑电帽及柔性微渗电极结构.(383KB) 限制开放使用许可请求全文
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