石墨烯增益耦合分布反馈式硅基混合激光器的制作方法
任正良; 阚强; 袁丽君; 潘教青; 王圩
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-08-30
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2014-10-29
申请号CN201410593915.8
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27297
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
任正良,阚强,袁丽君,等. 石墨烯增益耦合分布反馈式硅基混合激光器的制作方法.
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