SEMI OpenIR  > 光电子研究发展中心
InGaN/AlInGaN多量子阱太阳能电池结构
杨静; 赵德刚; 乐伶聪; 李晓静; 何晓光
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-08-30
授权国家中国
专利类型发明
学科领域光电子学
申请日期2014-10-29
申请号CN201410592387.4
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27294
专题光电子研究发展中心
推荐引用方式
GB/T 7714
杨静,赵德刚,乐伶聪,等. InGaN/AlInGaN多量子阱太阳能电池结构.
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InGaN_AlInGaN多量子阱太阳能(338KB) 限制开放使用许可请求全文
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