SEMI OpenIR  > 中科院半导体照明研发中心
提高Si衬底LED出光效率的外延结构及制备方法
张宁; 任鹏; 刘喆; 李晋闽; 王军喜
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-08-30
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体器件
申请日期2014-12-24
申请号CN201410816545.X
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27267
专题中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
张宁,任鹏,刘喆,等. 提高Si衬底LED出光效率的外延结构及制备方法.
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