| 倒装结构的氮化镓基高电子迁移率晶体管的制作方法 | |
| 纪攀峰; 谢海忠; 梁萌; 马平; 张韵; 王军喜; 李晋闽 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体所 |
| Date Available | 2016-08-30 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 半导体器件 |
| Application Date | 2014-12-24 |
| Application Number | CN201410816563.8 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27213 |
| Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 纪攀峰,谢海忠,梁萌,等. 倒装结构的氮化镓基高电子迁移率晶体管的制作方法. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 倒装结构的氮化镓基高电子迁移率晶体管的制（510KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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