SEMI OpenIR  > 光电子研究发展中心
一种硅神经电极混合集成器件的制造方法
张旭; 韩建强; 刘鸣; 裴为华; 陈弘达
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2014-04-30
授权国家中国
专利类型发明
学科领域光电子学
申请日期2014-01-21
申请号CN201410028793.8
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25901
专题光电子研究发展中心
推荐引用方式
GB/T 7714
张旭,韩建强,刘鸣,等. 一种硅神经电极混合集成器件的制造方法.
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一种硅神经电极混合集成器件的制造方法.p(505KB) 限制开放使用许可请求全文
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