SEMI OpenIR  > 中科院半导体照明研发中心
一种模块化阵列式高压LED芯片及其制造方法
詹腾; 郭金霞; 田婷; 伊晓燕; 王莉; 李璟; 王国宏
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2014-04-30
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体器件
申请日期2014-01-24
申请号CN201410034788.8
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25843
专题中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
詹腾,郭金霞,田婷,等. 一种模块化阵列式高压LED芯片及其制造方法.
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一种模块化阵列式高压LED芯片及其制造方(1516KB) 限制开放使用许可请求全文
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