N型注入的红外至可见波长上转换装置及其制备方法
楚新波; 关敏; 曾一平; 王宝强; 朱战平
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-06-19
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2013-03-15
申请号CN201310084016.0
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25840
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
楚新波,关敏,曾一平,等. N型注入的红外至可见波长上转换装置及其制备方法.
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