SEMI OpenIR  > 光电子研究发展中心
单光子源器件的制备方法
郑军; 成步文; 王启明
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2014-05-21
授权国家中国
专利类型发明
学科领域光电子学
申请日期2014-02-18
申请号CN201410054031.5
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25759
专题光电子研究发展中心
推荐引用方式
GB/T 7714
郑军,成步文,王启明. 单光子源器件的制备方法.
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文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
单光子源器件的制备方法.pdf(392KB) 限制开放使用许可请求全文
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