SEMI OpenIR  > 中科院半导体照明研发中心
在含镓氮化物上生长石墨烯薄膜的方法
赵云; 王刚; 孙连峰; 魏同波; 段瑞飞; 伊晓燕; 李晋闽
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2014
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体器件
申请日期2013-09-17
申请号CN201310424531.9
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25649
专题中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
赵云,王刚,孙连峰,等. 在含镓氮化物上生长石墨烯薄膜的方法.
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