SEMI OpenIR  > 半导体集成技术工程研究中心
环形垂直结构相变存储器的制备方法
付英春; 王晓峰; 杨富华
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-07-24
授权国家中国
专利类型发明
学科领域微电子学
申请日期2013-03-27
申请号CN201310101003.X
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25630
专题半导体集成技术工程研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
付英春,王晓峰,杨富华. 环形垂直结构相变存储器的制备方法.
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环形垂直结构相变存储器的制备方法.pdf(1094KB) 限制开放使用许可请求全文
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