一种超饱和掺杂半导体薄膜的制备方法 | |
王科范; 张华荣; 彭成晓; 曲胜春; 王占国 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2013-08-28 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Subject Area | 半导体材料 |
Application Date | 2013-05-02 |
Application Number | CN201310157821.1 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25626 |
Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 王科范,张华荣,彭成晓,等. 一种超饱和掺杂半导体薄膜的制备方法. |
Files in This Item: | ||||||
File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
一种超饱和掺杂半导体薄膜的制备方法.pd(262KB) | 限制开放 | License | Application Full Text |
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment