| 一种超饱和掺杂半导体薄膜的制备方法 | |
| 王科范; 张华荣; 彭成晓; 曲胜春; 王占国 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2013-08-28 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Application Date | 2013-05-02 |
| Application Number | CN201310157821.1 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25626 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 王科范,张华荣,彭成晓,等. 一种超饱和掺杂半导体薄膜的制备方法. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 一种超饱和掺杂半导体薄膜的制备方法.pd（262KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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