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一种提高耗尽型硅基电光调制器调制效率的掺杂结构
曹彤彤; 陈少武
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-07-31
授权国家中国
专利类型发明
学科领域光电子学
申请日期2013-05-06
申请号CN201310161729.2
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25625
专题光电子研究发展中心
推荐引用方式
GB/T 7714
曹彤彤,陈少武. 一种提高耗尽型硅基电光调制器调制效率的掺杂结构.
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