| 一种提高耗尽型硅基电光调制器调制效率的掺杂结构 | |
| 曹彤彤; 陈少武 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2013-07-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 光电子学 |
| Application Date | 2013-05-06 |
| Application Number | CN201310161729.2 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25625 |
| Collection | 光电子研究发展中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 曹彤彤,陈少武. 一种提高耗尽型硅基电光调制器调制效率的掺杂结构. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 一种提高耗尽型硅基电光调制器调制效率的掺（684KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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