一种提高耗尽型硅基电光调制器调制效率的掺杂结构 | |
曹彤彤; 陈少武 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2013-07-31 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Subject Area | 光电子学 |
Application Date | 2013-05-06 |
Application Number | CN201310161729.2 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25625 |
Collection | 光电子研究发展中心 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 曹彤彤,陈少武. 一种提高耗尽型硅基电光调制器调制效率的掺杂结构. |
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一种提高耗尽型硅基电光调制器调制效率的掺(684KB) | 限制开放 | License | Application Full Text |
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