SEMI OpenIR  > 中科院半导体照明研发中心
垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法
于治国; 赵丽霞; 魏学成; 王军喜; 李晋闽
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-09-25
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体器件
申请日期2013-05-22
申请号CN201310193970.3
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25606
专题中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
于治国,赵丽霞,魏学成,等. 垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法.
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垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱L(605KB) 限制开放使用许可请求全文
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