SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室
基于半导体超短脉冲激光器的太赫兹源设备
倪海桥; 丁颖; 徐应强; 李密锋; 喻颖; 査国伟; 徐建新; 牛智川
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-10-23
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体物理
申请日期2013-07-05
申请号CN201310280782.4
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25560
专题半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
倪海桥,丁颖,徐应强,等. 基于半导体超短脉冲激光器的太赫兹源设备.
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基于半导体超短脉冲激光器的太赫兹源设备.(346KB) 限制开放使用许可请求全文
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