| 硅基III-V族纳米线选区横向外延生长的方法 | |
| 韩伟华; 杨晓光; 杨涛; 王昊; 洪文婷; 杨富华 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2013-10-09 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 学科领域 | 半导体器件 |
| 申请日期 | 2013-06-13 |
| 申请号 | CN201310232595.9 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25539 |
| 专题 | 半导体集成技术工程研究中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩伟华,杨晓光,杨涛,等. 硅基III-V族纳米线选区横向外延生长的方法. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 硅基III-V族纳米线选区横向外延生长的（1132KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [韩伟华]的文章 |
| [杨晓光]的文章 |
| [杨涛]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [韩伟华]的文章 |
| [杨晓光]的文章 |
| [杨涛]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [韩伟华]的文章 |
| [杨晓光]的文章 |
| [杨涛]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论