一种高阻GaN薄膜的制备方法 | |
何晓光; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 乐伶聪; 李晓静; 杨辉 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2014-02-12 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Subject Area | 光电子学 |
Application Date | 2013-11-14 |
Application Number | CN201310566981.1 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25480 |
Collection | 光电子研究发展中心 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 何晓光,赵德刚,江德生,等. 一种高阻GaN薄膜的制备方法. |
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一种高阻GaN薄膜的制备方法.pdf(375KB) | 限制开放 | License | Application Full Text |
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