SEMI OpenIR  > 光电子研究发展中心
一种刻蚀衍射光栅型波分复用/解复用器
王玥; 张家顺; 安俊明; 吴远大; 王红杰; 李建光; 胡雄伟
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2014-03-19
授权国家中国
专利类型发明
学科领域光电子学
申请日期2013-11-27
申请号CN201310616114.4
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25441
专题光电子研究发展中心
推荐引用方式
GB/T 7714
王玥,张家顺,安俊明,等. 一种刻蚀衍射光栅型波分复用/解复用器.
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一种刻蚀衍射光栅型波分复用_解复用器.p(1837KB) 限制开放使用许可请求全文
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