高功率低发散角的半导体太赫兹垂直面发射激光器
王涛; 刘俊岐; 刘峰奇; 张锦川; 王利军; 王占国
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2014-03-12
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2013-12-05
申请号CN201310652143.6
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25434
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
王涛,刘俊岐,刘峰奇,等. 高功率低发散角的半导体太赫兹垂直面发射激光器.
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高功率低发散角的半导体太赫兹垂直面发射激(994KB) 限制开放使用许可请求全文
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