ZnO体单晶的Sb离子注入掺杂及退火激活方法
谢辉; 赵有文
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-09-26
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2012-06-08
申请号CN201210189488.8
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25421
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
谢辉,赵有文. ZnO体单晶的Sb离子注入掺杂及退火激活方法.
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ZnO体单晶的Sb离子注入掺杂及退火激活(376KB) 限制开放使用许可请求全文
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