SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室
CMOS图像传感器全局曝光像素单元
周杨帆; 吴南健; 曹中祥; 李全良; 秦琦
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-05-09
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体物理
申请日期2012-01-17
申请号CN201210014829.8
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25349
专题半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
周杨帆,吴南健,曹中祥,等. CMOS图像传感器全局曝光像素单元.
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