硅基上的近红外量子点电致发光的器件及制备方法 | |
许兴胜; 李成果 | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2012-12-12 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Subject Area | 光电子学 |
Application Date | 2012-08-27 |
Application Number | CN201210308854.7 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25265 |
Collection | 光电子研究发展中心 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 许兴胜,李成果. 硅基上的近红外量子点电致发光的器件及制备方法. |
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硅基上的近红外量子点电致发光的器件及制备(311KB) | 限制开放 | License | Application Full Text |
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