SEMI OpenIR  > 中科院半导体照明研发中心
制作纳米级柱形阵列氮化镓基正装结构发光二级管的方法
程滟; 汪炼成; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-03-06 ; 2013-03-06
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体器件
申请日期2012-11-05
申请号CN201210436128.3
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25199
专题中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
程滟,汪炼成,刘志强,等. 制作纳米级柱形阵列氮化镓基正装结构发光二级管的方法.
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制作纳米级柱形阵列氮化镓基正装结构发光二(374KB) 限制开放使用许可请求全文
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