SEMI OpenIR  > 光电子研究发展中心
下转换荧光材料的制备方法
李乐良; 郑军; 左玉华; 成步文; 王启明; 郑智雄
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-03-20 ; 2013-03-20
授权国家中国
专利类型发明
学科领域光电子学
申请日期2012-12-04
申请号CN201210513687.X
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25196
专题光电子研究发展中心
推荐引用方式
GB/T 7714
李乐良,郑军,左玉华,等. 下转换荧光材料的制备方法.
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