具有硅纳米线结构的硅薄膜太阳能电池的制备方法
谢小兵; 曾湘波; 杨萍; 李洁; 李敬彦; 张晓东; 王启明
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-03-20 ; 2013-03-20
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2012-11-19
申请号CN201210468808.3
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25195
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
谢小兵,曾湘波,杨萍,等. 具有硅纳米线结构的硅薄膜太阳能电池的制备方法.
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