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GeSi_CVD系统的流体力学和表面反应动力学模型 | |
金晓军; 梁骏吾 | |
1996 | |
Source Publication | 电子学报
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Volume | 24Issue:5Pages:7-12 |
Subject Area | 光电子学 |
Date Available | 2014-05-15 |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24958 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 金晓军,梁骏吾. GeSi_CVD系统的流体力学和表面反应动力学模型[J]. 电子学报,1996,24(5):7-12. |
APA | 金晓军,&梁骏吾.(1996).GeSi_CVD系统的流体力学和表面反应动力学模型.电子学报,24(5),7-12. |
MLA | 金晓军,et al."GeSi_CVD系统的流体力学和表面反应动力学模型".电子学报 24.5(1996):7-12. |
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GeSi_CVD系统的流体力学和表面反应(372KB) | 限制开放 | License | Application Full Text |
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