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SEMI OpenIR  > 半导体材料科学中心  > 学位论文

题名: InGaAs/InP应变量子阱及(AlGa)InP可见光激光器结构材料的GSMBE生长及特性研究
作者: 王晓亮
答辩日期: 1995
学位: 博士
专题: 半导体材料科学中心_学位论文

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推荐引用方式:
王晓亮.InGaAs/InP应变量子阱及(AlGa)InP可见光激光器结构材料的GSMBE生长及特性研究[博士].西安.中国科学院研究生院.1995
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