| 射频磁控溅射纳米二氧化钒薄膜的电致相变特性 | |
| 梁继然,胡明,阚强,后顺保,梁秀琴,陈弘达 | |
| 2012 | |
| Source Publication | 纳米技术与精密工程
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| Volume | 10Issue:2Pages:160-164 |
| Subject Area | 光电子学 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| Date Available | 2013-06-03 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24139 |
| Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 梁继然,胡明,阚强,后顺保,梁秀琴,陈弘达. 射频磁控溅射纳米二氧化钒薄膜的电致相变特性[J]. 纳米技术与精密工程,2012,10(2):160-164. |
| APA | 梁继然,胡明,阚强,后顺保,梁秀琴,陈弘达.(2012).射频磁控溅射纳米二氧化钒薄膜的电致相变特性.纳米技术与精密工程,10(2),160-164. |
| MLA | 梁继然,胡明,阚强,后顺保,梁秀琴,陈弘达."射频磁控溅射纳米二氧化钒薄膜的电致相变特性".纳米技术与精密工程 10.2(2012):160-164. |
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| 2012066.pdf（7095KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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