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具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法; 具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法
李璟; 王国宏; 魏同波; 张杨; 孔庆峰
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
Country中国
Subtype发明
Abstract 一种具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法,包括:采用金属有机化学气相沉积的方法,在半导体衬底上依次生长低温GaN缓冲层、不掺杂GaN层、N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层,形成GaN外延片;将GaN外延片放入蒸发台,在P-GaN层的表面蒸镀CsCl或氯化物;蒸镀结束后,向蒸发台腔室中充入水汽,控制相对湿度使P-GaN层表面的CsCl或氯化物吸收水分逐渐长大形成CsCl或氯化物的纳米岛;将CsCl或氯化物纳米岛作为刻蚀掩膜,对GaN外延片进行刻蚀,形成表面粗化的GaN外延片;再将GaN外延片的一侧进行刻蚀,形成台面;在GaN外延片的上表面蒸镀一层ITO薄膜;在GaN外延片的上表面制作P电极,在台面上制作N电极,完成器件制备。
metadata_83中科院半导体照明研发中心
Patent NumberCN102157640A
Language中文
Status公开
Application Number CN201110064300.2
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23517
Collection中科院半导体照明研发中心
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GB/T 7714
李璟,王国宏,魏同波,等. 具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法, 具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法. CN102157640A.
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具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED(301KB) 限制开放LicenseApplication Full Text
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