应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED; 应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED | |
张逸韵; 汪炼成; 郭恩卿; 孙波; 伊晓燕![]() | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Abstract | 一种应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED,包括:一p型金属电极,该p型金属电极包括一金属支撑衬底,以及制作在金属支撑衬底上的金属反射镜;一空穴注入层,该空穴注入层制作在P型金属电极的金属反射镜上;一电子阻挡层,该电子阻挡层制作在空穴注入层上;一发光层,该发光层制作在电子阻挡层上;一电子限制层,该电子限制层制作在发光层上;一电子注入层,该电子注入层制作在电子限制层上;一电流扩展层,该电流扩展层制作在电子限制层上;两个n型金属电极,制作在电流扩展层上,覆盖一部分电流扩展层。 |
metadata_83 | 中科院半导体照明研发中心 |
Patent Number | CN102214753A |
Language | 中文 |
Status | 公开 |
Application Number | CN201110147591.1 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23513 |
Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 张逸韵,汪炼成,郭恩卿,等. 应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED, 应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED. CN102214753A. |
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应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结(293KB) | 限制开放 | License | Application Full Text |
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