| 应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED; 应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED | |
张逸韵; 汪炼成; 郭恩卿; 孙波; 伊晓燕 ; 王国宏
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED,包括：一p型金属电极,该p型金属电极包括一金属支撑衬底,以及制作在金属支撑衬底上的金属反射镜；一空穴注入层,该空穴注入层制作在P型金属电极的金属反射镜上；一电子阻挡层,该电子阻挡层制作在空穴注入层上；一发光层,该发光层制作在电子阻挡层上；一电子限制层,该电子限制层制作在发光层上；一电子注入层,该电子注入层制作在电子限制层上；一电流扩展层,该电流扩展层制作在电子限制层上；两个n型金属电极,制作在电流扩展层上,覆盖一部分电流扩展层。 |
| metadata_83 | 中科院半导体照明研发中心 |
| Patent Number | CN102214753A |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN201110147591.1 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23513 |
| Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 张逸韵,汪炼成,郭恩卿,等. 应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED, 应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED. CN102214753A. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结（293KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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