SEMI OpenIR  > 中科院半导体照明研发中心
应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED; 应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED
张逸韵; 汪炼成; 郭恩卿; 孙波; 伊晓燕; 王国宏
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
Country中国
Subtype发明
Abstract 一种应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED,包括:一p型金属电极,该p型金属电极包括一金属支撑衬底,以及制作在金属支撑衬底上的金属反射镜;一空穴注入层,该空穴注入层制作在P型金属电极的金属反射镜上;一电子阻挡层,该电子阻挡层制作在空穴注入层上;一发光层,该发光层制作在电子阻挡层上;一电子限制层,该电子限制层制作在发光层上;一电子注入层,该电子注入层制作在电子限制层上;一电流扩展层,该电流扩展层制作在电子限制层上;两个n型金属电极,制作在电流扩展层上,覆盖一部分电流扩展层。
metadata_83中科院半导体照明研发中心
Patent NumberCN102214753A
Language中文
Status公开
Application Number CN201110147591.1
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23513
Collection中科院半导体照明研发中心
Recommended Citation
GB/T 7714
张逸韵,汪炼成,郭恩卿,等. 应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED, 应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED. CN102214753A.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结(293KB) 限制开放LicenseApplication Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[张逸韵]'s Articles
[汪炼成]'s Articles
[郭恩卿]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[张逸韵]'s Articles
[汪炼成]'s Articles
[郭恩卿]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[张逸韵]'s Articles
[汪炼成]'s Articles
[郭恩卿]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.