| 低位错氮化镓的生长方法; 低位错氮化镓的生长方法 |
| 吴奎; 魏同波; 闫建昌; 刘喆; 王军喜; 李晋闽
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种低位错氮化镓的生长方法,包括如下步骤：步骤1：取一基板,该基板包括一衬底和制作在其上的氮化镓模板；步骤2：用腐蚀液腐蚀氮化镓模板的表面,在氮化镓模板的表面形成六角微坑；步骤3：在具有六角微坑的氮化镓模板的表面涂覆二氧化硅凝胶,将六角微坑覆盖,用甩胶机进行甩胶处理；步骤4：采用高温烧结使氮化镓模板上的二氧化硅凝胶固化；步骤5：用NaOH溶液处理,除去氮化镓模板11上微坑以外的二氧化硅凝胶；步骤6：再采用高温烧结,使六角微坑内的二氧化硅凝胶变成晶体；步骤7：在处理后的氮化镓模板上外延氮化镓材料,完成低位错氮化镓的生长。 |
| 部门归属 | 中科院半导体照明研发中心
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| 专利号 | CN102409406A
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201110332793.3
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23502
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| 专题 | 中科院半导体照明研发中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
吴奎,魏同波,闫建昌,等. 低位错氮化镓的生长方法, 低位错氮化镓的生长方法. CN102409406A.
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