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低位错氮化镓的生长方法; 低位错氮化镓的生长方法
吴奎; 魏同波; 闫建昌; 刘喆; 王军喜; 李晋闽
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
Country中国
Subtype发明
Abstract 一种低位错氮化镓的生长方法,包括如下步骤:步骤1:取一基板,该基板包括一衬底和制作在其上的氮化镓模板;步骤2:用腐蚀液腐蚀氮化镓模板的表面,在氮化镓模板的表面形成六角微坑;步骤3:在具有六角微坑的氮化镓模板的表面涂覆二氧化硅凝胶,将六角微坑覆盖,用甩胶机进行甩胶处理;步骤4:采用高温烧结使氮化镓模板上的二氧化硅凝胶固化;步骤5:用NaOH溶液处理,除去氮化镓模板11上微坑以外的二氧化硅凝胶;步骤6:再采用高温烧结,使六角微坑内的二氧化硅凝胶变成晶体;步骤7:在处理后的氮化镓模板上外延氮化镓材料,完成低位错氮化镓的生长。
metadata_83中科院半导体照明研发中心
Patent NumberCN102409406A
Language中文
Status公开
Application Number CN201110332793.3
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23502
Collection中科院半导体照明研发中心
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GB/T 7714
吴奎,魏同波,闫建昌,等. 低位错氮化镓的生长方法, 低位错氮化镓的生长方法. CN102409406A.
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