在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法

	在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法; 在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法
	汪明; 杨涛
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
授权国家	中国
专利类型	发明
摘要	一种在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法,包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上依次生长一缓冲层、一下波导层、一双量子阱结构、一上波导层和一盖层,完成在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的制作。其是通过在较低温度下生长合适的InAs量子阱厚度,起到了在大应变条件下减小缺陷,增加跃迁波长到2.3μm的作用。
部门归属	中科院半导体材料科学重点实验室
专利号	CN102208756A
语种	中文
专利状态	公开
申请号	CN201110100538.6
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23486
专题	中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	汪明,杨涛. 在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法, 在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法. CN102208756A.