| 深紫外激光光致发光光谱仪; 深紫外激光光致发光光谱仪 |
| 金鹏; 王占国
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种深紫外激光光致发光光谱仪,包括：一全固态深紫外激光器；一真空样品室与全固态深紫外激光器连接；一真空单色仪与真空样品室连接；一第一真空维持系统与真空样品室连接；一第二真空维持系统与真空单色仪连接；一低温系统和控温装置与真空样品室通过法兰连接；一样品架三维调整装置与真空样品室连接；一稳态发射谱探测系统与真空单色仪连接；一时间分辨光谱探测系统与真空单色仪连接；一真空泄漏安全系统的第一、第二控制端与第一真空维持系统连接,第三、第四控制端与第二真空维持系统连接,第五控制端与低温系统和控温装置连接；一计算机控制装置用于控制真空泄漏安全系统、真空单色仪、低温系统和控温装置、样品架三维调整装置、稳态发射谱探测系统和时间分辨光谱探测系统。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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| 专利号 | CN102213617A
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201110087894.9
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23484
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| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
金鹏,王占国. 深紫外激光光致发光光谱仪, 深紫外激光光致发光光谱仪. CN102213617A.
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