| 具有宽光谱响应的硅探测器结构及其制作方法; 具有宽光谱响应的硅探测器结构及其制作方法 |
| 刘德伟; 黄永光; 朱小宁; 王熙元; 马丽; 朱洪亮
|
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
|
| 公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
|
| 授权国家 | 中国
|
| 专利类型 | 发明
|
| 摘要 | 一种具有宽光谱响应的硅探测器结构,包括：一n型硅基衬底层,其表面有一圆形凹槽；一二氧化硅介质掩蔽层,形成于n型硅基衬底层表面圆形凹槽的周边,中间为环形结构；一p型参杂层,位于n型硅基衬底层的圆形凹槽内；一正面接触电极,制作在二氧化硅介质掩蔽层环形结构的内壁及覆盖部分环形结构表面的边缘,形成环状结构；一增透膜层,制作在正面接触电极的环状结构内,并覆盖p型参杂层的表面；一广谱吸收黑硅层,制作在n型硅基衬底层的背面；一介质钝化层,该介质钝化层为点状,形成在广谱吸收黑硅层的表面；一背面接触电极,制作在广谱吸收黑硅层的表面并覆盖点状的介质钝化层。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室
|
| 专利号 | CN102290481A
|
| 语种 | 中文
|
| 专利状态 | 公开
|
| 申请号 | CN201110256554.4
|
| 文献类型 | 专利
|
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23477
|
| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室
|
推荐引用方式
GB/T 7714 |
刘德伟,黄永光,朱小宁,等. 具有宽光谱响应的硅探测器结构及其制作方法, 具有宽光谱响应的硅探测器结构及其制作方法. CN102290481A.
|
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论